IGZO靶材生产厂家、代理商、经销商也增多不少，竞争力都很激烈，如何选择IGZO靶材厂家，对于很多人来说，都不是非常清楚。今天南京皮埃路电子技术有限公司就给各位推荐下目前市面上比较好的IGZO靶材销售公司。

由In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）、O（氧）构成的半导体材料用于液晶显示器和有机EL显示器的像素驱动用晶体管（TFT：薄膜晶体管），可以大幅削减这些显示器的耗电量。传统的多晶硅薄膜晶体管的均一性差，制作工艺复杂；金属氧化物IGZO TFT迁移率高、均一性好、透明、制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求。

由于IGZO的电子迁移率大约是a-Si TFT的20～50倍，提高了背光的利用率，因此在分辨率上可以实现普通TFT屏幕的2倍以上。此外IGZO的电子迁移率超过传统材料的40倍，这样其也可以大大降低液晶屏幕的响应时间。而绝大部分的IGZO薄膜是由IGZO靶材溅射沉积所得，因此，高性能IGZO靶材的生产制作对于上述领域的发展具有十分重要的推动作用。

现有IGZO靶材的制备方法主要是通过共沉淀法制备IGZO粉体，然后再进行造粒，压制和烧结而获得IGZO靶材，由于共沉淀法在多种金属元素沉淀时不能同时进行，无法保证充分沉淀而导致成分比例失当，导致粉体的特性不稳定而且粉体的活性会较低。因此由这种方法获得的IGZO粉体烧制出的靶材相对密度偏低，基本都是在百分之90-95。 目前市面上可以生产IGZO靶材的公司较少，技术要求相对较高。

  

本文以南京皮埃路电子技术有限公司生产的SrRuO3陶瓷靶材为例为大家介绍一下靶材的制备工艺。

1.     陶瓷靶材制备方法：采用百分之99.95纯度SrCO3、百分之99.9或百分之99.99纯度 RuO2粉末, 按化学计量比配料，球磨5至8小时后混合均匀，在1100度以上通过热压烧结制备靶材。

2.     陶瓷靶材规格：单一结构相；直径20至50毫米，厚度3至6毫米，价格≥3200千元。

想要购买氧化物陶瓷溅射靶材的客户欢迎咨询皮埃路电子技术有限公司。

皮埃路电子自成立以来，始终秉承客户至上，质量至上的理念，根据客户的要求生产稳定可靠的靶材产品。皮埃路电子技术有限公司是南京政府321项目资助的高科技公司，由新加坡南洋理工大学、南京理工大学、南京航空航天大学和南京大学的几位教授负责技术指导。我们乐意为您定制高纯、高密度的溅射靶材，方便您进一步通过磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）系统制备高质量的薄膜。

如果您希望研究一种目前尚未存在的单晶薄膜，您可以自己设计组分，我们会为您量身定做专用的氧化物陶瓷靶材、也可以组织专家学者提供薄膜生长方面的建议。我们也可以通过的磁控溅射或PLD为您定做相应的薄膜，甚至进行XRD、SEM和AFM检测。在您提出需求和签订合同之后，我们将在3-5周内为您提供专用的高质量靶材。我们的每个靶材的原材料纯度都保证在百分之99.9以上，部分靶材的原材料纯度可以实现百分之99.99。靶材价格是由原材料和加工难度决定的，具体费用请拨打吸顶悬浮的电话联系咨询！