随着技术的不断进步，高性能陶瓷制备工艺越来越成熟。高性能陶瓷制备工艺发展趋势与市场发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，高性能陶瓷制备工艺也应随之变化。下面就跟着南京皮埃路电子技术有限公司一起来了解一下高性能陶瓷制备工艺吧！

高性能陶瓷靶材制备工艺主要有：固相烧结、热压烧结、热等静压烧结、气压烧结、微波烧结、自蔓延致密化烧结和放电等离子烧结等。

陶瓷靶材是高速荷能粒子轰击的目标材料，通过更换不同的陶瓷靶材，即可获得不同的膜系。因此。陶瓷靶材的纯度和质量对于薄膜的质量具有重要的影响。在靶材的研发生产中，高性能陶瓷靶材由于具备优异的结构特征受到用户青睐。专业于高性能陶瓷靶材研发生产的南京皮埃路在本文为大家总结关于高性能陶瓷靶材制备工艺的相关内容。

高性能陶瓷靶材常用的制备工艺为固相烧结和热压烧结，固相烧结工艺是利用微细颗粒易于烧结的特点，在骨料中加入相同组分的微细颗粒，在一定的温度下微细颗粒通过蒸发和迁移，在大颗粒连接部烧结，从而将大颗粒连接起来。热压烧结由于加热加压同时进行，粉料处于热塑性状态，有助于颗粒的接触扩散、流动传质过程的进行，因而成型压力仅为冷压的1/10；还能降低烧结温度，缩短烧结时间，从而抵制晶粒长大，获得晶粒细小、致密度高和机械、电学性能良好的产品。

常见的高性能陶瓷靶材组分有BaAlO3、BaCuO2、BaMnO3、BaTiO3、BaZrTiO3、SrTiO3、BiFeO3、BiMnO3、BiYO3、CaMnO3、CaTiO3、CoFe2O4、CuCrO2、GdMnO3、LaCaMnO、GdTiO3、InMnO3、HfZrO2、HoMnO3、KNbO3、LaLiTiO3、LiCoO2、NdNiO3和NdNiO3等。

本文以皮埃路电子技术有限公司生产的PbZr1-XTiXO3靶材为例，为大家具体讲述它的参数规格和制备方法。

1.陶瓷靶材制备方法：采用百分之99.9纯度PbO、百分之99.99纯度TiO2、百分之99.99纯度ZrO2粉末，按化学计量比配料，球磨混合均匀，在大于1000度下通过常压烧结制备靶材。

2.陶瓷靶材规格：单一结构相；直径20至50毫米，厚度3至6毫米。

有关高纯陶瓷靶材的详细介绍大致如上所述，如有想要购买氧化物高纯陶瓷溅射靶材的客户，欢迎咨询皮埃路电子技术有限公司。

皮埃路电子自成立以来，始终秉承客户至上，质量至上的理念，根据客户的要求生产稳定可靠的靶材产品。皮埃路电子技术有限公司是南京政府321项目资助的高科技公司，由新加坡南洋理工大学、南京理工大学、南京航空航天大学和南京大学的几位教授负责技术指导。我们乐意为您定制高纯、高密度的溅射靶材，方便您进一步通过磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）系统制备高质量的薄膜。

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